A method of manufacturing Er-doped silicon nano-dot arrays and a laser
ablation apparatus are provided. In the method, a target having a silicon
region and an erbium region is prepared. A silicon substrate is introduced
opposite to the target. Laser light is irradiated onto the target, a plume
containing silicon ablated from the silicon region and erbium ablated from
the erbium region is generated, and an Er-doped silicon film is deposited
on the silicon substrate from the plume. The Er-doped silicon film is
patterned.
Un método de fabricar órdenes Er-dopados del nano-punto del silicio y un aparato de la ablación del laser se proporcionan. En el método, una blanco que tiene una región del silicio y una región del erbium está preparada. Un substrato del silicio es contrario introducido a la blanco. La luz laser se irradia sobre la blanco, un plume que contiene el silicio separado por ablacio'n de la región y del erbium del silicio separados por ablacio'n de la región del erbium se genera, y una película Er-dopada del silicio se deposita en el substrato del silicio del plume. La película Er-dopada del silicio está modelada.
