System for in-situ generation of fluorine radicals and/or fluorine-containing interhalogen (XFn) compounds for use in cleaning semiconductor processing chambers

   
   

A system for in-situ generation of fluorine radicals and/or fluorine-containing interhalogen compounds XF.sub.n (wherein X is Cl, Br, or I, and n is an odd integer). Such system comprises a fluorine source, a halogen source for supplying halogen species other than fluorine, a chamber for mixing fluorine with halogen species other than fluorine, and an energy source to supply energy to such chamber to facilitate reaction between fluorine and the halogen species other than fluorine. The chamber may be a semiconductor processing chamber, wherein the in situ generated fluorine radicals and/or fluorine-containing interhalogens are employed for cleaning the processing chamber.

Un système pour la génération in-situ des radicaux de fluor et/ou interhalogen fluoré compose XF.sub.n (où X est Cl, Br, ou I, et n est un nombre entier impair). Un tel système comporte une source de fluor, une source d'halogène pour des espèces d'approvisionnement d'halogène autres que le fluor, une chambre pour le fluor de mélange avec des espèces d'halogène autres que le fluor, et une source d'énergie pour assurer l'énergie à une telle chambre pour faciliter la réaction entre le fluor et les espèces d'halogène autres que le fluor. La chambre peut être un semi-conducteur traitant la chambre, où les radicaux produits in situ de fluor et/ou les interhalogens fluorés sont utilisés pour nettoyer la chambre de traitement.

 
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