A semiconductor laser device includes an active layer and first and second
current blocking layers having aligned stripe openings for injecting
operating current into the active layer in a current injection area. The
second current blocking layer has another opening, through which the first
current blocking layer contacts an external cladding layer, in the
vicinity of the emission facet of the laser cavity to form a current
non-injection area. The first current blocking layer and the external
cladding layer have a substantially equal refractive index.
Un dispositivo del laser a semiconduttore include uno strato attivo e gli strati ostruenti in primo luogo ed in secondo luogo correnti che allineano le aperture della banda per l'iniezione della corrente di funzionamento nello strato attivo in una zona corrente dell'iniezione. Il secondo strato ostruente corrente ha altra apertura, con cui il primo strato ostruente corrente si mette in contatto con uno strato esterno del rivestimento, nelle vicinanze della sfaccettatura dell'emissione della cavità del laser per formare una zona corrente dell'non-iniezione. Il primo strato ostruente corrente e lo strato esterno del rivestimento hanno un indice di rifrazione sostanzialmente uguale.
