A nitride-type compound semiconductor laser device includes a substrate and
a layered structure provided on the substrate. A light absorption layer
having a bandgap smaller than a bandgap of an active layer in the layered
structure is provided in a position between the cladding layer, which is
provided on a side opposite to a mount surface with respect to the active
layer, and a surface of the layered structure which is opposite to the
mount surface.
Um nitride-tipo dispositivo do laser do semicondutor composto inclui uma carcaça e uma estrutura mergulhada fornecidas na carcaça. Uma camada do absorption claro que tem um bandgap menor do que um bandgap de uma camada ativa na estrutura mergulhada é fornecida em uma posição entre a camada do cladding, que é fornecida em um lado oposto a uma superfície da montagem com respeito à camada ativa, e uma superfície da estrutura mergulhada que é oposta à superfície da montagem.
