A semiconductor wafer with variable transmittance, serves as a saturable
absorber for performing passive Q-switching in a laser system to produce
laser pulses having defined output characteristics. By translating or
rotating the semiconductor saturable absorber, loss properties of a laser
cavity may be altered. In this manner, the output characteristics of the
laser pulses can be varied without changing other parameters of laser
operation. The output characteristics may include pulse duration, pulse
repetition rate, peak power and average output power of the laser pulses.
The semiconductor wafer can be made of doped or undoped GaAs, AlGaAs, InP,
etc. Furthermore, the tunable Q-switch may simultaneously serve as an
output coupler for the laser cavity.
Una oblea de semiconductor con el transmittance variable, servicios como amortiguador saturable para realizar la Q-conmutacio'n pasiva en un sistema del laser para producir los pulsos del laser que definen características de salida. Traduciendo o rotando el amortiguador saturable del semiconductor, las características de la pérdida de una cavidad del laser pueden ser alteradas. De este modo, las características de salida de los pulsos del laser pueden ser variadas sin cambiar otros parámetros de la operación del laser. Las características de salida pueden incluir la duración del pulso, el índice de repetición de pulso, la energía máxima y la energía media de la salida de los pulsos del laser. La oblea de semiconductor se puede hacer del GaAs dopado o undoped, de AlGaAs, del INP, del etc. Además, el Q-interruptor armonioso puede servir simultáneamente como acoplador de la salida para la cavidad del laser.
