A program element has a magnetic layer electrically connected between first
and second nodes. At least a portion of the magnetic layer forms a link
portion designed to be blown with external laser irradiation. The magnetic
layer is provided in the same layer as and with the same structure as a
tunneling magneto-resistance element in an MTJ memory cell. An electrical
contact between the magnetic layer and respective one of the first and
second nodes has the same structure as the electrical contact between the
tunneling magneto-resistance element and an interconnection provided in
the same metal interconnection layer as respective one of the first and
second nodes in the MTJ memory cell.
Ein Programmelement hat eine magnetische Schicht elektrisch zwischen, die zuerst angeschlossen werden und zweite Nullpunkte. Mindestens bildet ein Teil der magnetischen Schicht einen Verbindung Teil, der entworfen ist, mit externer Laser Bestrahlung durchgebrannt zu werden. Die magnetische Schicht wird in der gleichen Schicht wie und mit der gleichen Struktur wie ein Einen Tunnel anlegen Magnetwiderstand Element in einer MTJ Speicherzelle versehen. Ein elektrischer Kontakt zwischen der magnetischen Schicht und dem jeweiligen der ersten und zweiten Nullpunkte hat die gleiche Struktur wie der elektrische Kontakt zwischen dem Einen Tunnel anlegen Magnetwiderstand Element und einer Verbindung, die in der gleichen Metallverbindung Schicht wie jeweiliges der ersten und zweiten Nullpunkte in der MTJ Speicherzelle bereitgestellt werden.
