Neutron detecting device

   
   

The present neutron sensing device includes a first substantially planar array of flash memory cells, a second substantially planar array of flash memory cells having an edge adjacent an edge of the first substantially planar array of flash memory cells, and a third substantially planar array of flash memory cells having a first edge adjacent an edge adjacent an edge of the first substantially planar array of flash memory cells and a second edge adjacent an edge of the second substantially planar array of flash memory cells. The plane of the second substantially planar array of flash memory cells is at an angle relative to the plane of the first substantially planar array of flash memory cells, and the plane of the third substantially planar array of flash memory cells is at an angle relative to the plane of the first substantially planar array of flash memory cells, and is at an angle relative to the plane of the second substantially planar array of flash memory cells, in the preferred embodiment of all such angles being indicated as 90.degree..

Приспособление присытствыющего нейтрона воспринимая вклюает первый существенн плоскостной блок внезапные ячейкы памяти, блок секунды существенн плоскостной внезапные ячейкы памяти имея край смежный край первого существенн плоскостного блока внезапные ячейкы памяти, и блока трети существенн плоскостного внезапные ячейкы памяти имея первый край смежный край смежный край первого существенн плоскостного блока внезапные ячейкы памяти и второй край смежный край блока секунды существенн плоскостного внезапные ячейкы памяти. Плоскость блока секунды существенн плоскостного внезапные ячейкы памяти под углом по отношению к плоскости первого существенн плоскостного блока внезапные ячейкы памяти, и плоскость блока трети существенн плоскостного внезапные ячейкы памяти под углом по отношению к плоскости первого существенн плоскостного блока внезапные ячейкы памяти, и под углом по отношению к плоскости блока секунды существенн плоскостного внезапные ячейкы памяти, в предпочитаемом воплощении всех таких углов будучи показыванной как 90.degree..

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device formed on silicon-on-insulator substrate

< Plug structure having low contact resistance and method of manufacturing

> Semiconductor device with two types of FET's having different gate lengths and its manufacture method

> Semiconductor device with bipolar transistor

~ 00154