A gate electrode conductive film is formed on the surface of a
semiconductor substrate. First and second gate mask patterns made of a
first insulating material are formed on the gate electrode conductive film
on first and second sections. Sidewall spacers are formed on the sidewalls
of the first and second gate mask patterns, the sidewall spacer being made
of a second insulating material having an etching resistance different
from the first insulating material. The second section is covered with a
mask pattern and the sidewall spacer on the sidewall of the first gate
mask pattern is removed. The gate electrode conductive film is etched to
leave first and second gate electrodes on the first and second sections.
Μια αγώγιμη ταινία ηλεκτροδίων πυλών διαμορφώνεται στην επιφάνεια ενός υποστρώματος ημιαγωγών. Πρώτα και δεύτερα σχέδια μασκών πυλών φιαγμένοι από πρώτο μονώνοντας υλικό διαμορφώνεται στην αγώγιμη ταινία ηλεκτροδίων πυλών πρώτα και τα δεύτερα τμήματα. Sidewall τα πλήκτρα διαστήματος διαμορφώνονται sidewalls των πρώτων και δεύτερων σχεδίων μασκών πυλών, το sidewall πλήκτρο διαστήματος που αποτελείται από ένα δεύτερο μονώνοντας υλικό που έχει μια αντίσταση χαρακτικής διαφορετική από το πρώτο μονώνοντας υλικό. Το δεύτερο τμήμα καλύπτεται με ένα σχέδιο μασκών και το sidewall πλήκτρο διαστήματος sidewall του πρώτου σχεδίου μασκών πυλών αφαιρείται. Η αγώγιμη ταινία ηλεκτροδίων πυλών χαράζεται για να φύγει πρώτα και δεύτερα ηλεκτρόδια πυλών στα πρώτα και δεύτερα τμήματα.
