A semiconductor device has: a gate insulator film of a transistor formed in
a predetermined region on a region of a first conductivity type; a gate
electrode of the transistor formed on the gate insulator film; a diffusion
layer of a second conductivity type formed on both sides of the gate
insulator film on the region of the first conductivity type; and a
diffusion layer of the first conductivity type formed on the region of the
first conductivity type so as to surround the gate insulator film and the
diffusion layer of the second conductivity type. The diffusion layer of
the first conductivity type has a higher impurity concentration than the
region of the first conductivity type. In such a semiconductor device, the
diffusion layer of the first conductivity type is formed so as to be
separated from the gate insulator film. Consequently, it is the region of
the first conductivity type having a lower concentration than the
diffusion layer of the first conductivity type that forms a PN junction
with the inversion layer in the channel region formed when the transistor
is on (the inversion layer of the second conductivity type below the gate
insulator film), so that the energy barrier of the PN junction is higher
than that of the conventional PN junction of the diffusion layer of the
first conductivity type and the inversion layer of the second conductivity
type. As a result, leakage current generation is suppressed.
Un dispositivo de semiconductor tiene: una película del aislador de la puerta de un transistor formó en una región predeterminada en una región de un primer tipo de la conductividad; un electrodo de puerta del transistor formó en la película del aislador de la puerta; una capa de la difusión de un segundo tipo de la conductividad formó en ambos lados de la película del aislador de la puerta en la región del primer tipo de la conductividad; y una capa de la difusión del primer tipo de la conductividad formó en la región del primer tipo de la conductividad para rodear la película del aislador de la puerta y la capa de la difusión del segundo tipo de la conductividad. La capa de la difusión del primer tipo de la conductividad tiene una concentración de impureza más alta que la región del primer tipo de la conductividad. En tal dispositivo de semiconductor, la capa de la difusión del primer tipo de la conductividad se forma para para ser separada de la película del aislador de la puerta. Por lo tanto, es la región del primer tipo de la conductividad que tiene una concentración más baja que la capa de la difusión del primer tipo de la conductividad que forma una ensambladura del PN con la capa de inversión en la región del canal formada cuando el transistor está encendido (la capa de inversión del segundo tipo de la conductividad debajo de la película del aislador de la puerta), de modo que la barrera de la energía de la ensambladura del PN sea más alta que la de la ensambladura convencional del PN de la capa de la difusión del primer tipo de la conductividad y de la capa de inversión del segundo tipo de la conductividad. Consecuentemente, se suprime la generación actual de la salida.
