Accurate determination of gate dielectric thickness is required to produce
high-reliability and high-performance ultra-thin gate dielectric
semiconductor devices. Large area gate dielectric capacitors with
ultra-thin gate dielectric layers suffer from high gate leakage, which
prevents the accurate measurement of gate dielectric thickness. Accurate
measurement of gate dielectric thickness of smaller area gate dielectric
capacitors is hindered by the relatively large parasitic capacitance of
the smaller area capacitors. The formation of first and second dummy
structures on a wafer allow the accurate determination of gate dielectric
thickness. First and second dummy structures are formed that are
substantially similar to the gate dielectric capacitors except that the
first dummy structures are formed without the second electrode of the
capacitor and the second dummy structures are formed without the first
electrode of the capacitor structure. The capacitance, and therefore
thickness, of the gate dielectric capacitor is determined by subtracting
the parasitic capacitances measured at the first and second dummy
structures.
Genaue Ermittlung der dielektrischen Stärke des Gatters wird angefordert, um Hochzuverlässigkeit und des leistungsstarken ultradünnen Gatters dielektrische Halbleiterelemente zu produzieren. Dielektrische Kondensatoren des großen Bereich Gatters mit dielektrischen Schichten des ultradünnen Gatters leiden unter hohem Gatterdurchsickern, das das genaue Maß der Gatternichtleiterstärke verhindert. Genaues Maß der dielektrischen Stärke des Gatters der dielektrischen Kondensatoren des kleinerer Bereich Gatters wird durch die verhältnismäßig große parasitsche Kapazitanz der kleinerer Bereich Kondensatoren gehindert. Die Anordnung von zuerst und an zweiter Stelle blinde Strukturen auf einer Oblate erlauben die genaue Ermittlung der Gatternichtleiterstärke. Zuerst und an zweiter Stelle blinde Strukturen werden gebildet, die den dielektrischen Kondensatoren des Gatters im wesentlichen ähnlich sind, außer daß die ersten blinden Strukturen ohne die zweite Elektrode des Kondensators gebildet werden und die zweiten blinden Strukturen ohne die erste Elektrode der Kondensatorstruktur gebildet werden. Die Kapazitanz und folglich die Stärke, des dielektrischen Kondensators des Gatters wird festgestellt, indem man die parasitschen Kapazitanzen subtrahiert, die an den ersten und zweiten blinden Strukturen gemessen werden.
