A semiconductor device comprises a semiconductor substrate having a first
insulator, and a semiconductor channel region formed on the first
insulator, wherein the semiconductor channel region comprising at least
two first regions both having the first conductivity type, a second region
of the conductivity type opposite to the first conductivity type, the
second region being provided between the two first regions, a second
insulator formed on the second region, a gate electrode formed on the
second insulator, a third region having the same conductivity type as that
of the second region, the third region being electrically conductive to
the second region, a third insulator formed on the third region, the third
insulator having a width narrower than the widths of an isolation region
for isolating the semiconductor formation region, and a fourth region of
the same conductivity type as that of the third region, the fourth region
being electrically conductive to the third region.
Μια συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα ημιαγωγών που έχουν έναν πρώτο μονωτή, και μια περιοχή καναλιών ημιαγωγών που διαμορφώνεται στον πρώτο μονωτή, όπου η περιοχή καναλιών ημιαγωγών περιλαμβάνοντας τουλάχιστον δύο πρώτες περιοχές και οι δύο που έχουν τον πρώτο τύπο αγωγιμότητας, μια δεύτερη περιοχή του τύπου αγωγιμότητας απέναντι από τον πρώτο τύπο αγωγιμότητας, η δεύτερη περιοχή που παρέχεται μεταξύ των δύο πρώτων περιοχών, ένας δεύτερος μονωτής που διαμορφώνεται στη δεύτερη περιοχή, ένα ηλεκτρόδιο πυλών που διαμορφώνεται στο δεύτερο μονωτή, μια τρίτη περιοχή που έχει τον ίδιο τύπο αγωγιμότητας με αυτήν της δεύτερης περιοχής, η τρίτη περιοχή που είναι ηλεκτρικά αγώγιμη στη δεύτερη περιοχή, ένας τρίτος μονωτής που διαμορφώνεται στην τρίτη περιοχή, το τρίτο ερεην τχε σεμηθονδuθτορ θχαννελ ρεγηον θομπρησηνγ ατ λεαστ τωο φηρστ ρεγηονς ψοτχ χαβηνγ τχε φηρστ θονδuθτηβητυ τυπε, α σεθονδ ρεγηον οφ τχε θονδuθτηβητυ τυπε οπποσητε το τχε φηρστ θονδuθτηβητυ τυπε, τχε σεθονδ ρεγηον ψεηνγ προβηδεδ ψετωεεν τχε τωο φηρστ ρεγηονς, α σεθονδ ηνσuλατορ φορμεδ ον τχε σεθονδ ρεγηον, α γατε ελεθτροδε φορμεδ ον τχε σεθονδ ηνσuλατορ, α τχηρδ ρεγηον χαβηνγ τχε σαμε θονδuθτηβητυ τυπε ας τχατ οφ τχε σεθονδ ρεγηον, τχε τχηρδ ρεγηον ψεηνγ ελεθτρηθαλλυ θονδuθτηβε το τχε σεθονδ ρεγηον, α τχηρδ ηνσuλατορ φορμεδ ον τχε τχηρδ ρεγηον, τχε τχηρδ ηνσuλατορ χαβηνγ α ωηδτχ ναρροωερ τχαν τχε ωηδτχς οφ μια περιοχή απομόνωσης για την απομόνωση της περιοχής σχηματισμού ημιαγωγών, και μια τέταρτη περιοχή του ίδιου τύπου αγωγιμότητας με αυτήν της τρίτης περιοχής, της τέταρτης περιοχής που είναι ηλεκτρικά αγώγιμης στην τρίτη περιοχή.
