In the light-emitting gallium-nitride-group compound semiconductor devices
using a substrate, the operating voltage is lowered and at the same time
the occurrence of crack during crystal growth is suppressed, resulting in
an improved manufacturing yield rate. The device includes a stacked
structure of an n-type layer, a light-emitting layer and a p-type layer
formed in the foregoing order on a substrate, and an n-side electrode
formed on the surface of the n-type layer. The n-type layer is a laminate
layer composed of, in the order from the substrate, first n-type layer and
a second n-type layer having a carrier concentration higher than that of
the first n-type layer. As the contact resistance between the n-type layer
and the n-side electrode formed thereon is reduced, the operating voltage
of a light-emitting device is lowered, and the power consumption
decreased.
En los dispositivos de semiconductor compuesto luminescentes del galio-nitruro-grupo usando un substrato, se baja el voltaje de funcionamiento y en el mismo tiempo la ocurrencia de la grieta durante el crecimiento cristalino se suprime, dando por resultado una tarifa mejorada de la producción de la fabricación. El dispositivo incluye una estructura apilada de un n-tipo capa, una capa luminescente y un p-tipo capa formada en la orden precedente en un substrato, y un electrodo del n-lado formado en la superficie del n-tipo capa. El n-tipo capa es una capa laminada integrada por, en la orden del substrato, primer n-tipo capa y un segundo n-tipo capa que tiene una concentración de portador más arriba que el del primer n-tipo capa. Mientras que la resistencia del contacto entre el n-tipo capa y el electrodo del n-lado formado sobre eso se reduce, el voltaje de funcionamiento de un dispositivo luminescente se baja, y se disminuye el consumo de energía.
