A nonvolatile ferroelectric memory device and a method for fabricating the
same are provided that increase a process margin and simplify process
steps. In addition, a number of masks is reduced to save the cost and at
the same time minimize or reduce a layout area. The nonvolatile
ferroelectric memory device can include first and second split wordlines
formed along a first direction on a substrate at prescribed intervals, a
first electrode of a first ferroelectric capacitor on the second split
wordline and a first electrode of a second ferroelectric capacitor on the
first split wordline, first and second ferroelectric layers respectively
on surfaces of the first electrodes of the first and second ferroelectric
capacitors, and second electrodes of the first and second ferroelectric
capacitors, respectively, on surfaces of the first and second
ferroelectric layers. A first conductive layer connects the second
electrode of the first ferroelectric capacitor with the substrate at one
side of the second split wordline, and a second conductive layer connects
the second electrode of the second ferroelectric capacitor with the
substrate at one side of the first split wordline. First and second
bitlines are coupled with the substrate at another sides of the respective
split wordlines.
Μια αμετάβλητη σιδηροηλεκτρική συσκευή μνήμης και μια μέθοδος για το ίδιο πράγμα παρέχονται που αυξάνει ένα περιθώριο διαδικασίας και απλοποιεί τα βήματα διαδικασίας. Επιπλέον, διάφορες μάσκες μειώνονται για να κερδίσουν κόστος και να ελαχιστοποιήσει συγχρόνως ή να μειώσουν μια περιοχή σχεδιαγράμματος. Η αμετάβλητη σιδηροηλεκτρική συσκευή μνήμης μπορεί να περιλάβει πρώτα και δεύτερα διασπασμένα wordlines που διαμορφώνονται κατά μήκος μιας πρώτης κατεύθυνσης σε ένα υπόστρωμα σε ορισμένα διαστήματα, ένα πρώτο ηλεκτρόδιο ενός πρώτου σιδηροηλεκτρικού πυκνωτή στο δεύτερο διασπασμένο wordline και ένα πρώτο ηλεκτρόδιο ενός δεύτερου σιδηροηλεκτρικού πυκνωτή στο πρώτο διασπασμένο wordline, πρώτα και των δεύτερων σιδηροηλεκτρικών στρωμάτων αντίστοιχα στις επιφάνειες των πρώτων ηλεκτροδίων των πρώτων και δεύτερων σιδηροηλεκτρικών πυκνωτών, και των δεύτερων ηλεκτροδίων των πρώτων και δεύτερων σιδηροηλεκτρικών πυκνωτών, αντίστοιχα, στις επιφάνειες των πρώτων και δεύτερων σιδηροηλεκτρικών στρωμάτων. Ένα πρώτο αγώγιμο στρώμα συνδέει το δεύτερο ηλεκτρόδιο του πρώτου σιδηροηλεκτρικού πυκνωτή με το υπόστρωμα σε μια πλευρά του δεύτερου διασπασμένου wordline, και ένα δεύτερο αγώγιμο στρώμα συνδέει το δεύτερο ηλεκτρόδιο του δεύτερου σιδηροηλεκτρικού πυκνωτή με το υπόστρωμα σε μια πλευρά του πρώτου διασπασμένου wordline. Πρώτα και δεύτερα bitlines συνδέεται με το υπόστρωμα σε άλλο τις πλευρές των αντίστοιχων διασπασμένων wordlines.
