An n-side electrode, an n-substrate, an n-buffer layer, a GRIN-SCH-MQW
active layer, a p-spacer, a p-cladding layer, a p-contact layer, and a
p-side electrode are laminated one on top another in that order. Above the
n-buffer layer, the GRIN-SCH-MQW layer and the p-spacer layer occupy a
narrower area than the n-substrate in a direction that is at right angles
to the laser emission direction, wherein the remaining area is occupied by
a p-blocking layer and an n-blocking layer. Within the p-spacer layer are
embedded a first diffraction grating and a second diffraction grating.
Between the first and the second diffraction grating and the p-side
electrode is provided a current non-injection area.
Un elettrodo del n-lato, un n-substrato, uno strato dell'n-amplificatore, uno strato attivo di GRIN-SCH-MQW, un p-distanziatore, uno strato del p-rivestimento, p-si mette in contatto con lo strato e un elettrodo del p-lato è laminato uno su superiore un altro in quell'ordine. Sopra lo strato dell'n-amplificatore, lo strato di GRIN-SCH-MQW e lo strato del p-distanziatore occupano una zona più stretta che il n-substrato in un senso che è perpendicolare al senso dell'emissione del laser, in cui la zona restante è occupata da uno strato p-ostruente e da uno strato n-ostruente. All'interno dello strato del p-distanziatore sono incastonati un primo reticolo di diffrazione e un secondo reticolo di diffrazione. Fra il primo e secondo reticolo di diffrazione ed il p-lato l'elettrodo è fornito una zona corrente dell'non-iniezione.
