A non-volatile memory device and a fabrication method thereof, wherein a
charge trapping layer, which is a memory unit, is formed at opposite ends
of a gate of a cell, i.e., adjacent to source and drain junction regions,
such that portions of the charge trapping layer adjacent to the source and
drain junction regions are formed to be thicker than other portions of the
charge trapping layer. Therefore, regions adjacent to junction regions
function as electron storage regions and hole filing regions.
Un bloc de mémoires non-volatile et une méthode de fabrication en, où une couche de piégeage de charge, qui est une unité de mémoire, est formée aux extrémités opposées d'une porte d'une cellule, c.-à-d., à côté des régions de jonction de source et de drain, tels que les parties du piégeage de charge posent à côté des régions de source et de jonction de drain sont formés pour être plus épais que d'autres parties de la couche de piégeage de charge. Par conséquent, les régions à côté des régions de jonction fonctionnent comme régions de stockage d'électron et régions de classement de trou.
