The present invention provides a single-electron transistor device (100).
The device (100) comprises a source (105) and drain (100) located over a
substrate (115) and a quantum island (120) situated between the source and
drain (105, 110), to form tunnel junctions (125, 130) between the source
and drain (105, 110). The device (100) further includes a movable
electrode (135) located adjacent the quantum island (120) and a
displaceable dielectric (140) located between the moveable electrode (135)
and the quantum island (120). The present invention also includes a method
of fabricating a single-electron device (200), and a transistor circuit
(300) that include a single-electron device (310).
La presente invenzione fornisce un dispositivo del transistore dell'singolo-elettrone (100). Il dispositivo (100) contiene una fonte (105) e lo scolo (100) situato sopra un substrato (115) e un'isola di quantum (120) situata fra la fonte e lo scolo (105, 110), per formare le giunzioni del traforo (125, 130) fra la fonte e per vuotare (105, 110). Il dispositivo (100) più ulteriormente include i 135) adiacenti individuati mobile dell'elettrodo (l'isola di quantum (120) e un dielettrico displaceable (140) situato fra l'elettrodo mobile (135) e l'isola di quantum (120). La presente invenzione inoltre include un metodo di fabbricare un dispositivo dell'singolo-elettrone (200) e un circuito del transistore (300) che includono un dispositivo dell'singolo-elettrone (310).
