A semiconductor device of the present invention is a semiconductor memory
having a charge storage film. Recesses or holes which effectively increase
the capacitance of a floating gate or a memory cell capacitor are formed
in the charge storage film. These recesses or holes are formed at the same
time the floating gate electrode or the lower electrode of the capacitor
is isolated into the form of islands. A dielectric film and a polysilicon
film is formed on the isolated island floating gate electrodes or lower
electrodes. These recesses or holes increase the surface area of the
dielectric film and improve the write and erase characteristics of a
memory cell.
Μια συσκευή ημιαγωγών της παρούσας εφεύρεσης είναι μια μνήμη ημιαγωγών που έχει μια ταινία αποθήκευσης δαπανών. Οι κοιλότητες ή οι τρύπες που αυξάνουν αποτελεσματικά την ικανότητα μιας επιπλέουσας πύλης ή ενός πυκνωτή κυττάρων μνήμης διαμορφώνονται στην ταινία αποθήκευσης δαπανών. Αυτές οι κοιλότητες ή τρύπες διαμορφώνονται συγχρόνως το επιπλέον ηλεκτρόδιο πυλών ή το χαμηλότερο ηλεκτρόδιο του πυκνωτή είναι απομονωμένο στη μορφή νησιών. Μια διηλεκτρική ταινία και μια ταινία πολυπυρίτιων διαμορφώνονται στα απομονωμένα ηλεκτρόδια πυλών νησιών επιπλέοντα ή τα χαμηλότερα ηλεκτρόδια. Αυτές οι κοιλότητες ή τρύπες αυξάνουν την περιοχή επιφάνειας της διηλεκτρικής ταινίας και βελτιώνουν γράφουν και σβήνουν τα χαρακτηριστικά ενός κυττάρου μνήμης.
