An etchant and an etching method that contribute to prevention of metal
contamination of a semiconductor silicon wafer, and a semiconductor
silicon wafer in which metal contamination is extremely reduced, are
provided. The etchant according to the present invention is prepared by
immersing stainless steel in an alkali aqueous solution for not less than
10 hours. In the etching method according to the present invention, a
semiconductor silicon wafer is etched by using the etchant. Thereby, the
semiconductor silicon wafer according to the present invention, in which
metal contamination is extremely reduced, is obtained.
Eine etchant und Radierung Methode, die zur Verhinderung der metallischen Verschmutzung einer Halbleitersilikonoblate und zu einer Halbleitersilikonoblate beitragen, in der metallische Verschmutzung extrem verringert wird, werden zur Verfügung gestellt. Das etchant entsprechend der anwesenden Erfindung wird vorbereitet, indem man rostfreien Stahl in einer wässerigen Lösung des Alkalis nicht weniger als 10 Stunden lang untertaucht. In der Radierung Methode entsprechend der anwesenden Erfindung, wird eine Halbleitersilikonoblate geätzt, indem man das etchant verwendet. Dadurch wird die Halbleitersilikonoblate entsprechend der anwesenden Erfindung, in der metallische Verschmutzung extrem verringert wird, erhalten.
