Storage capacitor and associated contact-making structure and a method for fabricating the storage capacitor and the contact-making structure

   
   

A storage capacitor, in particular a ferroelectric or paraelectric storage capacitor, and an associated contact-making structure are formed in such a way that the storage capacitor has a first electrode layer, a second electrode layer and a dielectric, ferroelectric or paraelectric capacitor intermediate layer. Proceeding from the plane of the surface of the insulation layer, the storage capacitor extends at least partly into the interior of the via contact and is electrically connected to the via contact.

Een opslagcondensator, in het bijzonder een ferroelectric of paraelectric opslagcondensator, en een bijbehorende contact-makende structuur worden gevormd zodanig dat de opslagcondensator een eerste elektrodenlaag, een tweede elektrodenlaag en een diƫlektrische, ferroelectric of paraelectric condensator middenlaag heeft. Te werk gaand van het vliegtuig van de oppervlakte van de isolatielaag, breidt de opslagcondensator zich minstens gedeeltelijk in het binnenland van via contact uit en met via contact elektrisch verbonden.

 
Web www.patentalert.com

< CMOS imager with a self-aligned buried contact

< Optical array with improved contact structure

> Support for chromophoric elements

> Ferroelectric memory devices having expanded plate lines

~ 00155