An imaging device formed as a CMOS semiconductor integrated circuit
includes a buried contact line between the floating diffusion region and
the gate of a source follower output transistor. The self-aligned buried
contact in the CMOS imager decreases leakage from the diffusion region
into the substrate which may occur with other techniques for
interconnecting the diffusion region with the source follower transistor
gate. Additionally, the self-aligned buried contact is optimally formed
between the floating diffusion region and the source follower transistor
gate which allows the source follower transistor to be placed closer to
the floating diffusion region, thereby allowing a greater photo detection
region in the same sized imager circuit.
Un dispositif de formation image formé comme circuit intégré de semi-conducteur de CMOS inclut une ligne enterrée de contact entre la région flottante de diffusion et la porte d'un transistor de rendement de palpeur de source. Le contact enterré par art de l'auto-portrait-aligned dans l'encre en poudre de CMOS diminue la fuite de la région de diffusion dans le substrat qui peut se produire avec d'autres techniques pour relier ensemble la région de diffusion avec la porte de transistor de palpeur de source. En plus, le contact enterré par art de l'auto-portrait-aligned est de façon optimale formé entre la région flottante de diffusion et la porte de transistor de palpeur de source qui permet au transistor de palpeur de source d'être placé plus près de la région flottante de diffusion, permettant de ce fait une plus grande région de détection de photo dans le même circuit classé d'encre en poudre.
