As edge-emitting semiconductor laser incorporating a narrow waveguide
design is disclosed. The narrow waveguide expands the lateral mode size,
creates a large modal spot size, and insures higher-order modes are beyond
cutoff. Separate current confinement allows the current injection region
to match the mode size. The resulting device exhibits single-mode
operation with a large spot-size to high output powers.
Wie das Rand-Ausstrahlen von von Halbleiterlaser, der ein schmales Wellenleiterdesign enthält, freigegeben wird. Der schmale Wellenleiter erweitert die seitliche Modusgröße, verursacht eine große modale Punktgröße und versichert höherer Ordnungmodi sind über Abkürzung hinaus. Unterschiedliche gegenwärtige Beschränkung läßt die gegenwärtige Einspritzungregion die Modusgröße zusammenbringen. Die resultierende Vorrichtung stellt single-mode Betrieb mit einer großen Punkt-Größe zu den hohen Ausgang Energien aus.
