A substrate for a semiconductor device includes a crystalline silicon
substrate; an insulative silicon compound layer thereon and a crystalline
insulation layer on the insulative silicon compound layer, wherein the
insulative silicon compound layer contains not more than 10 at % of
component element of a material constituting the crystalline insulation
layer, the component element being provided in the insulative silicon
compound layer by diffusion.
Un substrat pour un dispositif de semi-conducteur inclut un substrat cristallin de silicium ; une couche insulative de composé de silicium là-dessus et une couche cristalline d'isolation sur la couche insulative de composé de silicium, où la couche insulative de composé de silicium contient pas plus de 10 chez % d'élément composant d'un matériel constituant la couche cristalline d'isolation, l'élément composant étant fourni dans la couche insulative de composé de silicium par diffusion.
