Semiconductor substrate, SOI substrate and manufacturing method therefor

   
   

A substrate for a semiconductor device includes a crystalline silicon substrate; an insulative silicon compound layer thereon and a crystalline insulation layer on the insulative silicon compound layer, wherein the insulative silicon compound layer contains not more than 10 at % of component element of a material constituting the crystalline insulation layer, the component element being provided in the insulative silicon compound layer by diffusion.

Un substrat pour un dispositif de semi-conducteur inclut un substrat cristallin de silicium ; une couche insulative de composé de silicium là-dessus et une couche cristalline d'isolation sur la couche insulative de composé de silicium, où la couche insulative de composé de silicium contient pas plus de 10 chez % d'élément composant d'un matériel constituant la couche cristalline d'isolation, l'élément composant étant fourni dans la couche insulative de composé de silicium par diffusion.

 
Web www.patentalert.com

< Developing assembly, image-forming apparatus and process cartridge

< Zoom lens and image taking apparatus using the same

> Sheet treating apparatus and image forming apparatus

> Exposure method and apparatus

~ 00156