An exposure method illuminates a mask that forms a desired pattern and an
auxiliary pattern smaller than the desired pattern, and projects light
from the mask onto an object to be exposed via a projection optical system
at a position offset from a focus position that provides the highest
resolution so that the auxiliary pattern is not resolved.
Un método de la exposición ilumina una máscara que forme un patrón deseado y un patrón auxiliar más pequeños que el patrón deseado, y los proyectos se encienden de la máscara sobre un objeto que se expondrá vía un sistema óptico de la proyección en una posición compensada de una posición del foco que proporcione la resolución más alta tan que el patrón auxiliar no está resuelto.
