Patterns for exposure are divided into subdivided regions taking into
consideration a scope of an effect of backscattering, the Coulomb effect,
and process factors, respectively, on errors in dimensions, and a pattern
area occupancy ratio (pattern area density) within the respective
subdivided regions is retained, thereby executing exposure with patterns
after finding dimensions of pattern modification as the function of the
respective pattern area densities. As a result, it becomes possible to
fabricate a mask provided with correction for the errors in the
dimensions, caused by plural factors such as backscattering, the Coulomb
effect, and process factors, and to obtain highly accurate patterns for
exposure. Further, use of pattern area density maps enables data
processing time necessary for correction to be considerably reduced.
Τα σχέδια για την έκθεση διαιρούνται σε υποδιαιρεμένες περιοχές που λαμβάνουν υπόψη ένα πεδίο μιας επίδρασης της ανάδρομης διάξυσης, της επίδρασης Coulomb, και των παραγόντων διαδικασίας, αντίστοιχα, στα λάθη στις διαστάσεις, και μια αναλογία κατοχής περιοχής σχεδίων (πυκνότητα περιοχής σχεδίων) μέσα στις αντίστοιχες υποδιαιρεμένες περιοχές διατηρείται, με αυτόν τον τρόπο εκτελώντας την έκθεση με τα σχέδια μετά από να βρεί τις διαστάσεις της τροποποίησης σχεδίων ως λειτουργία των αντίστοιχων πυκνοτήτων περιοχής σχεδίων. Κατά συνέπεια, είναι δυνατό να κατασκευαστεί μια μάσκα που παρέχεται τη διόρθωση για τα λάθη στις διαστάσεις, που προκαλούνται από τους παράγοντες πληθυντικού όπως η ανάδρομη διάξυση, την επίδραση Coulomb, και τους παράγοντες διαδικασίας, και να ληφθούν τα ιδιαίτερα ακριβή σχέδια για την έκθεση. Περαιτέρω, η χρήση των χαρτών πυκνότητας περιοχής σχεδίων επιτρέπει το χρόνο επεξεργασίας δεδομένων απαραίτητο για τη διόρθωση να μειωθεί αρκετά.
