Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read modes

   
   

A nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of read modes switchably built therein is provided. This nonvolatile semiconductor memory device is the one that has a memory cell array in which electrically rewritable nonvolatile memory cells are laid out and a read circuit which performs data readout of the memory cell array. The nonvolatile semiconductor memory device has a first read mode and a second read mode. The first read mode is for reading data by means of parallel data transfer of the same bit number when sending data from the memory cell array through the read circuit up to more than one external terminal. The second read mode is for performing parallel data transfer of a greater bit number than that of the first read mode when sending data from the memory cell array to the read circuit while performing data transfer of a smaller bit number than the bit number when sending data from the read circuit up to the external terminal.

Um dispositivo de memória permanente do semicondutor com um plurality de modalidades lidas construído switchably nisso é fornecido. Este dispositivo de memória permanente do semicondutor é esse que tem uma disposição de pilha da memória em que as pilhas de memória permanente rewritable são colocadas eletricamente para fora e um circuito lido que execute o readout dos dados da disposição de pilha da memória. O dispositivo de memória permanente do semicondutor tem uma primeira modalidade lida e uma segunda modalidade lida. A primeira modalidade lida é para dados de leitura por meio de transferência de dados paralela do mesmo número de bocado ao emitir dados da disposição de pilha da memória através do circuito lido até mais de um terminal externo. A segunda modalidade lida é executando transferência de dados paralela de um número de bocado mais grande do que aquele da primeira modalidade lida ao emitir dados da disposição de pilha da memória ao circuito lido ao executar transferência de dados de um número de bocado menor do que o número de bocado ao emitir dados do circuito lido até o terminal externo.

 
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< Non-volatile semiconductor memory device

< Wiring substrate

> Wearable communication system

> Semiconductor integrated circuit device having a plurality of wells, test method of testing the semiconductor integrated circuit device, and test device which executes the test method

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