An integrated device comprising a MOS transistor and a Schottky diode which
are formed on a semiconductor substrate of a first conductivity type is
shown. The device comprises a plurality of body region stripes of a second
conductivity type which are adjacent and parallel to each other, a first
metal layer placed over said substrate and a second metal layer placed
under said substrate. The device comprises a plurality of elementary
structures parallel to each other each one of which comprises first zones
provided with a silicon oxide layer placed over a portion of the substrate
which is comprised between two adjacent body region stripes, a polysilicon
layer superimposed to the silicon oxide layer, a dielectric layer placed
over and around the polysilicon layer. Some body region stripes comprise
source regions of the first conductivity type which are placed adjacent to
the first zones of the elementary structures to form elementary cells of
said MOS transistor. The elementary structures and the body regions
stripes extend longitudinally in a transversal way to the formation of the
channel in the elementary cells of the MOS transistor and the first metal
layer contacts the source regions. At least one elementary structure
comprises at least a second zone adapted to allow the direct contact
between the first metal layer and the underlying substrate portion
arranged between two adjacent body regions stripes to perform the Schottky
diode.
Un dispositivo integrado que abarca un transistor del MOS y un diodo de Schottky que se formen en un substrato del semiconductor de un primer tipo de la conductividad se demuestra. El dispositivo abarca una pluralidad de las rayas de la región del cuerpo de un segundo tipo de la conductividad que son adyacentes y paralelas, primera de un substrato dicho excesivo colocado una segunda capa del metal capa y del metal puesta debajo del substrato dicho. El dispositivo abarca una pluralidad de las estructuras elementales paralelas cada de las cuales abarca las primeras zonas proporcionadas una capa del óxido del silicio puesta sobre una porción del substrato sobre el cual se abarca entre dos rayas adyacentes de la región del cuerpo, una capa sobrepuesta a la capa del óxido del silicio, una capa dieléctrica del polysilicon puesta y alrededor de la capa del polysilicon. Algunas rayas de la región del cuerpo abarcan las regiones de la fuente del primer tipo de la conductividad que se ponen adyacente a las primeras zonas de las estructuras elementales para formar las células elementales del transistor dicho del MOS. Las estructuras elementales y las rayas de las regiones del cuerpo extienden longitudinalmente de una manera transversal a la formación del canal en las células elementales del transistor del MOS y la primera capa del metal entra en contacto con las regiones de la fuente. Por lo menos una estructura elemental abarca por lo menos una segunda zona adaptada para permitir el contacto directo entre la primera capa del metal y la porción subyacente del substrato dispuestas entre dos rayas adyacentes de las regiones del cuerpo para realizar el diodo de Schottky.
