A technique to perform an operation (e.g., erase, program, or read) on
memory cells (105) is to apply an operating voltage dynamically to the
gates (111, 113) of the memory cells, rather than a continuous operating
voltage. This reduces the power consumed during the operation. Dynamic
operation or background operation such as background erase also permits
other operations, such as read, program, or erase to occur while the
selected memory cells are operated on. This improves the operational speed
of an integrated circuit using dynamic operation compared to a continuous
operation. A transfer transistor controls coupling of the operating
voltage to a node of the memory cells selected for dynamic operation. When
the node is substantially charged to the operating voltage it is floated
by turning off the transfer transistor. The dynamically held operating
voltage is allowed to perform the memory operation with the occasional
refresh.
Uma técnica para executar uma operação (por exemplo, para apagar, programar, ou ler) nas pilhas de memória (105) deve aplicar dinâmicamente uma tensão operando-se às portas (111, 113) das pilhas de memória, melhor que uma tensão operando-se contínua. Isto reduz o poder consumido durante a operação. A operação dinâmica ou a operação de fundo tal como o fundo apagam permitem também outras operações, tais como lido, programa, ou apagam-nas para ocorrer quando as pilhas de memória selecionadas forem operadas sobre. Isto melhora a velocidade operacional de um circuito integrado usando a operação dinâmica comparada a uma operação contínua. Um transistor de transferência controla o acoplamento da tensão operando-se a um nó das pilhas de memória selecionadas para a operação dinâmica. Quando o nó é carregado substancialmente à tensão se operando está flutuado girando fora do transistor de transferência. A tensão operando-se dinâmicamente prendida é permitida executar a operação de memória com o ocasional refresca.
