A lithography system comprising a converter element (7) for receiving light
and converting said light in a plurality of electron beams (15) to be
directed towards and focused on a substrate (10) to be processed, said
plurality of electron beams (15) being used to define a pattern in a
resist layer (20) on said substrate (10), wherein said lithography system
is provided with a protective foil with holes at the positions of the
electron beams (23) being arranged to protect, in use, said converter
element (7) from contamination with material from the resist layer (21).
Een lithografiesysteem die uit een convertorelement (7) voor het ontvangen van licht en omzettend bovengenoemd licht in een meerderheid van elektronenstralen (15) bestaan om naar op een substraat (10) worden geleid en worden geconcentreerd om worden verwerkt bovengenoemde om meerderheid van elektronenstralen (15) die worden gebruikt om een patroon in te bepalen verzet zich tegen laag (20) op bovengenoemd substraat (10), waarin het bovengenoemde lithografiesysteem zich wordt voorzien van een beschermende folie met gaten bij de posities van elektronenstralen (23) die worden geschikt om, in gebruik, bovengenoemd convertorelement (7) tegen verontreiniging te beschermen met materiaal van verzet tegen laag (21).
