A multi-column electron beam inspection system is disclosed herein. The
system is designed for electron beam inspection of semiconductor wafers
with throughput high enough for in-line use. The system includes field
emission electron sources, electrostatic electron optical columns, a wafer
stage with six degrees of freedom of movement, and image storage and
processing systems capable of handling multiple simultaneous image data
streams. Each electron optical column is enhanced with an electron gun
with redundant field emission sources, a voltage contrast plate to allow
voltage contrast imaging of wafers, and an electron optical design for
high efficiency secondary electron collection.
Un système multi-column d'inspection de faisceau d'électrons est révélé ci-dessus. Le système est conçu pour l'inspection de faisceau d'électrons des gaufrettes de semi-conducteur avec la sortie assez haut pour l'usage intégré. Le système inclut des sources d'électron d'émission de champ, des colonnes optiques d'électron électrostatique, une étape de gaufrette avec six degrés de libre circulation, et des systèmes de stockage d'image et de traitement capables de manipuler les flux de données simultanés multiples d'image. Chaque colonne optique d'électron est augmentée avec un pistolet d'électron avec des sources superflues d'émission de champ, un plat de contraste de tension pour permettre la formation image de contraste de tension des gaufrettes, et une conception optique d'électron pour la collection secondaire d'électron de rendement élevé.
