The present invention provides an annealed wafer manufacturing method using
a heat treatment method causing no change in resistivity of a wafer
surface even when a silicon wafer having boron deposited on a surface
thereof from an environment is subjected to heat treatment in an insert
gas atmosphere and enabling the heat treatment in an ordinary diffusion
furnace not requiring a sealed structure for increasing airtightness nor
any specific facility such as explosion-proof facility. The present
invention also provides an annealed wafer in which a boron concentration
in the vicinity of a surface thereof is constant and crystal defects are
annihilated. In the annealed wafer manufacturing method, a silicon wafer
having a natural oxide film formed on a surface thereof with boron
deposited thereon from an environment is subjected to heat treatment in an
atmosphere containing hydrogen gas to remove the deposited boron before
the natural oxide film is removed, and then is subjected to heat treatment
in an inert gas atmosphere.
Η παρούσα εφεύρεση παρέχει μια ανοπτημένη μέθοδο κατασκευής γκοφρετών χρησιμοποιώντας μια μέθοδο θερμικής επεξεργασίας μην προκαλώντας καμία αλλαγή στην ειδική αντίσταση μιας επιφάνειας γκοφρετών ακόμα και όταν υποβάλλεται μια γκοφρέτα πυριτίου που έχει το βόριο κατατεθειμένο σε μια επιφάνεια επ' αυτού από ένα περιβάλλον στη θερμική επεξεργασία σε μια ατμόσφαιρα και τη διευκόλυνση ενθέτων αέριο της θερμικής επεξεργασίας σε έναν συνηθισμένο φούρνο διάχυσης που δεν απαιτεί μια σφραγισμένη δομή για την αύξηση του ερμητικότητας ούτε οποιασδήποτε συγκεκριμένης δυνατότητας όπως η explosion-proof δυνατότητα. Η παρούσα εφεύρεση παρέχει επίσης μια ανοπτημένη γκοφρέτα στην οποία μια συγκέντρωση βορίου κοντά σε μια επιφάνεια είναι επ' αυτού σταθερή και οι ατέλειες κρυστάλλου εκμηδενίζονται. Στην ανοπτημένη μέθοδο κατασκευής γκοφρετών, μια γκοφρέτα πυριτίου που έχει μια φυσική ταινία οξειδίων διαμορφωμένη σε μια επιφάνεια επ' αυτού με το βόριο που κατατίθεται επ'αυτού από ένα περιβάλλον υποβάλλεται στη θερμική επεξεργασία σε μια ατμόσφαιρα που περιέχει το υδρογόνο για να αφαιρέσει αέριο το κατατεθειμένο βόριο προτού να αφαιρεθεί η φυσική ταινία οξειδίων, και έπειτα υποβάλλεται στη θερμική επεξεργασία σε μια αδρανή αέριο ατμόσφαιρα.
