A semiconductor device production system using a laser crystallization
method is provided which can avoid forming grain boundaries in a channel
formation region of a TFT, thereby preventing grain boundaries from
lowering the mobility of the TFT greatly, from lowering ON current, and
from increasing OFF current. Rectangular or stripe pattern depression and
projection portions are formed on an insulating film. A semiconductor film
is formed on the insulating film. The semiconductor film is irradiated
with continuous wave laser light by running the laser light along the
stripe pattern depression and projection portions of the insulating film
or along the major or minor axis direction of the rectangle. Although
continuous wave laser light is most preferred among laser light, it is
also possible to use pulse oscillation laser light in irradiating the
semiconductor film.
Обеспечен производственнаяа система прибора на полупроводниках используя метод кристаллизации лазера может избежать сформировать границы зерна в зоне образования канала TFT, таким образом предотвращая границы зерна от понижать удобоподвижность TFT больш, от понижать НА течении, и от увеличивать С течения. Части прямоугольных или нашивки картины нажатия и проекции сформированы на изолируя пленке. Пленка полупроводника сформирована на изолируя пленке. Пленка полупроводника облучена с светом лазера незатухающей волны путем бежать свет лазера вдоль частей нажатия и проекции картины нашивки изолируя пленки или вдоль главного или небольшого направления оси прямоугольника. Хотя свет лазера незатухающей волны больше всего предпочесн среди света лазера, также по возможности использовать свет лазера колебания ИМПА ульс в облучать пленку полупроводника.
