The objective of the invention is to provide a method of fabricating
semiconductor device using a laser crystallization method capable of
preventing a grain boundary from being formed on the channel-forming
region of a TFT and preventing the mobility of the TFT from extremely
deteriorating, on-current from decreasing, or off-current from increasing
due to a grain boundary and a semiconductor device fabricated by the
fabrication method. Striped (banded) or rectangular concave and convex
portions are formed. Then, a semiconductor film formed on an insulating
film is irradiated with a laser beam diagonally to the longitudinal
direction of concave and convex portions on the insulating film.
El objetivo de la invención es proporcionar un método de fabricar el dispositivo de semiconductor usando un método de la cristalización del laser capaz de evitar un límite de grano sea formado en la región de canal-formacio'n de un TFT y evitando que la movilidad del TFT deteriore extremadamente, en-actual de disminuir, o apagado-actual del aumento debido a un límite de grano y a un dispositivo de semiconductor fabricados por el método de la fabricación. Se forman las porciones cóncavas y convexas rayadas (congregado) o rectangulares. Entonces, una película del semiconductor formada en una película aislador se irradia con un rayo laser diagonalmente a la dirección longitudinal de porciones cóncavas y convexas en la película aislador.
