The present invention provides a method for forming a contact plug in a
semiconductor device capable of preventing an increase of contact
resistance even if the contact size becomes smaller and degradation of a
step coverage property and of suppressing a decrease of uniformity in the
contact resistance. The inventive method includes the steps of: a method
for forming a contact plug in a semiconductor device, comprising the steps
of: forming a contact hole by etching an insulating layer on a substrate;
forming a first silicon film with a first doping concentration on the
substrate in the contact hole so that the contact hole is partially
filled; flushing a doping gas on a surface of the first silicon film; and
forming a second silicon film having a second doping concentration higher
than the first doping concentration on the first silicon film until
filling the contact hole.
A invenção atual fornece um método dando forma a um contato plug dentro um dispositivo de semicondutor capaz de impedir um aumento da resistência do contato mesmo se o tamanho do contato se transforma menor e degradação de uma propriedade da cobertura da etapa e de suprimir uma diminuição da uniformidade na resistência do contato. O método inventive inclui as etapas de: um método para dar forma a um contato plug dentro um dispositivo de semicondutor, compreendendo as etapas de: dando forma a um furo do contato gravando uma camada isolando em uma carcaça; dando forma a uma primeira película do silicone com uma primeira concentração doping na carcaça no furo do contato de modo que o furo do contato seja enchido parcialmente; nivelando um gás doping em uma superfície da primeira película do silicone; e dando forma a uma segunda película do silicone que tem uma segunda concentração doping mais altamente do que a primeira concentração doping na primeira película do silicone até o enchimento do furo do contato.
