A method of manufacturing a flash memory cell. The method includes
controlling a wall sacrificial oxidization process, a wall oxidization
process and a cleaning process of a trench insulating film that are
performed before/after a process of forming the trench insulating film for
burying a trench to etch the trench insulating film to a desired space.
Therefore, it is possible to secure the coupling ratio of a floating gate
by maximum and implement a device of a smaller size.
Un método de fabricar una célula de memoria de destello. El método incluye controlar un proceso sacrificatorio de la oxidación de la pared, un proceso de la oxidación de la pared y un proceso de la limpieza de una película aislador del foso que sea before/after realizados al proceso de formar la película aislador del foso para enterrar un foso para grabar al agua fuerte la película aislador del foso a un espacio deseado. Por lo tanto, es posible asegurar el cociente del acoplador de una puerta flotante por máximo y poner un dispositivo en ejecucio'n de un tamaño más pequeño.
