Increasing the retention time of an embedded dynamic random access memory
(DRAM) is disclosed. An embedded DRAM includes a metal oxide semiconductor
(MOS) capacitor. The capacitor has a storage node formed between a P+
doped region and a polysilicon plate within an N well. An N- doped region
is situated substantially completely under the polysilicon plate and
substantially under the P+ doped region. The presence of the N- doped
region decreases the threshold voltage of the capacitor and reduces
effectively the junction leakage current to the N well, achieving a larger
retention time.
Het verhogen van de behoudtijd van een ingebed dynamisch directe toeganggeheugen (DRAM) wordt onthuld. Ingebedde DRAM omvat de halfgeleider (MOS) condensator een van het metaaloxyde. De condensator heeft een opslagknoop die tussen P + gesmeerd gebied en een polysilicon plaat binnen N wordt gevormd goed. N - het gesmeerde gebied is wezenlijk volledig gesitueerd onder de polysilicon plaat en wezenlijk onder P + gesmeerd gebied. De aanwezigheid van N - het gesmeerde gebied vermindert het drempelvoltage van de condensator en vermindert effectief de stroom van de verbindingslekkage tot N goed, bereikend een grotere behoudtijd.
