A semiconductor element which is capable of operating at a high speed, high
in an electric current drive capability, and small in fluctuation among a
plurality of elements, and a semiconductor device including the
semiconductor element are provided. The semiconductor element has a first
crystalline semiconductor region including plural crystal orientations
without practically having a grain boundary on an insulating surface, the
first crystalline semiconductor region being provided to be jointly
connected to a conductive region including the first crystalline
semiconductor region and a second crystalline semiconductor region, in
which the conductive region is provided astride insulating films extending
in a linear stripe pattern.
Un élément de semi-conducteur qui est capable du fonctionnement à un à grande vitesse, haut dans des possibilités courantes électriques d'entraînement, et petit dans la fluctuation parmi une pluralité d'éléments, et un dispositif de semi-conducteur comprenant l'élément de semi-conducteur sont fournis. L'élément de semi-conducteur a une première région de semi-conducteur cristalline comprenant des orientations en cristal plurielles sans pratiquement avoir une frontière de grain sur une surface isolante, la première région de semi-conducteur cristalline étant fournie pour être conjointement relié à une région conductrice comprenant la première région de semi-conducteur cristalline et une deuxième région de semi-conducteur cristalline, dans lesquelles la région conductrice est fournie à cheval sur les films isolants se prolongeant dans un modèle linéaire de raie.
