A semiconductor material which has a high carbon dopant concentration
includes gallium, indium, arsenic and nitrogen. The disclosed
semiconductor materials have a low sheet resistivity because of the high
carbon dopant concentrations obtained. The material can be the base layer
of gallium arsenide-based heterojunction bipolar transistors and can be
lattice-matched to gallium arsenide emitter and/or collector layers by
controlling concentrations of indium and nitrogen in the base layer. The
base layer can have a graded band gap that is formed by changing the flow
rates during deposition of III and V additive elements employed to reduce
band gap relative to different III-V elements that represent the bulk of
the layer. The flow rates of the III and V additive elements maintain an
essentially constant doping-mobility product value during deposition and
can be regulated to obtain pre-selected base-emitter voltages at junctions
within a resulting transistor.
Um material do semicondutor que tenha uma concentração de dopant elevada do carbono inclui o gallium, o indium, o arsênico e o nitrogênio. Os materiais divulgados do semicondutor têm um resistivity baixo da folha por causa das concentrações de dopant elevadas do carbono obtidas. O material pode ser a camada baixa de transistor bipolares arsenieto-baseados gallium do heterojunction e pode lattice-ser combinado às camadas do emissor e/ou do coletor do arsenieto de gallium controlando concentrações do indium e do nitrogênio na camada baixa. A camada baixa pode ter uma abertura classificada da faixa que seja dada forma mudando as taxas de fluxo durante um deposition de III e de V os elementos do aditivo empregados para reduzir os elementos diferentes relative.to da abertura III-V da faixa que representam o volume da camada. As taxas de fluxo do III e do V elementos do aditivo mantêm um valor essencialmente constante do produto da doping-mobilidade durante o deposition e podem ser reguladas para obter tensões pre-selected do emissor de base em junções dentro de um transistor resultante.
