Disclosed herein is a method of etching deep trenches in a substrate which
utilizes the overlying mask structure to achieve a trench having a
positive tapered sidewall angle of less than about 88.degree.. The method
employs the successive etching of a lateral undercut in the substrate
beneath a masking material, while at the same time etching vertically
downward beneath the mask. The coordinated widening of the lateral
undercut at the top of the trench, while vertically extending the depth of
the trench, is designed to provide the desired trench sidewall taper
angle.
É divulgado nisto um método de gravar trincheiras profundas em uma carcaça que utilize a estrutura sobrejacente da máscara para conseguir uma trincheira que tem um ângulo afilado positivo do sidewall de menos do que sobre 88.degree.. O método emprega gravura a água-forte sucessiva de um undercut lateral na carcaça abaixo de um material mascarando, ao ao mesmo tempo gravar verticalmente para baixo abaixo da máscara. Alargar-se coordenado do undercut lateral no alto da trincheira, ao verticalmente estender a profundidade da trincheira, é projetado fornecer o ângulo desejado do atarraxamento do sidewall da trincheira.
