Forming submicron integrated-circuit wiring from gold, silver, copper, and other metals

   
   

A typical integrated circuit interconnects millions of microscopic transistors and resistors with aluminum wires buried in silicon-dioxide insulation. Yet, aluminum wires and silicon-dioxide insulation are a less attractive combination than gold, silver, or copper wires combined with polymer-based insulation, which promise both lower electrical resistance and capacitance and thus faster, more efficient circuits. Unfortunately, conventional etch-based techniques are ineffective with gold, silver, or copper, and conventional polymer formation promote reactions with metals that undermine the insulative properties of polymer-based insulations. Accordingly, the inventor devised methods which use a liftoff procedure to avoid etching problems and a non-acid-polymeric precursor and non-oxidizing cure procedure to preserve the insulative properties of the polymeric insulator. The resulting interconnective structures facilitate integrated circuits with better speed and efficiency.

Un circuito integrado típico interconecta millones de transistores y de resistores microscópicos con los alambres de aluminio enterrados en el aislamiento del silicio-dio'xido. Todavía, los alambres y el aislamiento de aluminio del silicio-dio'xido son una combinación menos atractiva que el oro, la plata, o los alambres del cobre combinados con el aislamiento poli'mero-basado, que prometen una resistencia eléctrica más baja y capacitancia y así más rápido, circuitos más eficientes. Desafortunadamente, las técnicas grabar al agua fuerte-basadas convencionales sea ineficaz con oro, plata, o cobre, y la formación convencional del polímero promueve reacciones con los metales que minan las características insulative de aislamientos poli'mero-basados. Por consiguiente, el inventor ideó los métodos que utilizan un procedimiento del liftoff para evitar problemas de la aguafuerte y procedimiento de una curación no-a'cido-polime'rica del precursor y el no-oxidar para preservar las características insulative del aislador polimérico. Las estructuras interconnective que resultan facilitan los circuitos integrados con una velocidad y una eficacia mejores.

 
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