A semiconductor light-emitting device, including a first substrate of a
first conductivity type, a first bonding layer provided on the first
substrate and consisting essentially of a GaP material of the first
conductivity type, a second bonding layer provided on the first bonding
layer, coincident with the first bonding layer in the planar direction of
the crystal, having the first conductivity type, and consisting
essentially of a material represented by a formula In.sub.x Ga.sub.y P,
where 0.ltoreq.x, y.ltoreq.1, and x+y=1, and a light-emitting layer
comprising a first cladding layer, an active layer, and a second cladding
layer, which are successively provided on the second bonding layer, each
of the active layer and first and second cladding layers consisting
essentially of a material represented by a formula In.sub.x Ga.sub.y
Al.sub.z P, where x+y+z=1, and 0.ltoreq.x, y, z.ltoreq.1.
Приспособление полупроводника светоиспускающое, включая первый субстрат первого типа проводимости, первого слоя bonding обеспеченных на первом субстрате и состоять необходимо материала зазора первого типа проводимости, второго слоя bonding обеспеченного на первом слое bonding, сопадающем с первым слоем bonding в плоскостном направлении кристалла, имеющ первый тип проводимости, и состоящ необходимо материала представленного формулой In.sub.x Ga.sub.y п, где 0.ltoreq.x, y.ltoreq.1, и x+y=1, и светоиспускающий слой состоя из первого слоя плакирования, активно слоя, и второго слоя плакирования, которые последовательно обеспечены на втором слое bonding, каждый из активно слоя и сперва и вторых слоев плакирования состоя необходимо материала представленного формулой In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.z п, где x+y+z=1, и 0.ltoreq.x, ы, z.ltoreq.1.
