A semiconductor device includes: a semiconductor substrate of a first
conductivity type; a semiconductor layer of a first conductivity type
formed on a first main surface of the semiconductor substrate, the
semiconductor layer including a first region for a cell portion and a
second region for a terminating portion, the second region being
positioned in an outer periphery of the first region, the terminating
portion maintaining breakdown voltage by extending a depletion layer to
relieve an electric field; junction pairs of semiconductor layers
periodically arranged so as to form a line from the first region to the
second region in a first direction parallel to the first main surface in
the semiconductor layer and having mutually opposite conductivity types of
impurities, each of the junction pair being composed of a first impurity
diffusion layer of a second conductivity type formed from a surface of the
semiconductor layer toward the semiconductor substrate and a second
impurity diffusion layer of a first conductivity type formed from the
surface of the semiconductor layer toward the semiconductor substrate and
adjacently to the first impurity diffusion layer; a base layer of a second
conductivity type selectively formed on each surface layer of the junction
pairs which are formed in the first region, so as to connect with the
first impurity diffusion layer and the second impurity diffusion layer in
the same manner; a source layer of a first conductivity type selectively
formed on each surface layer of the base layers of the second conductive
type; a control electrode formed above each surface of the base layers and
above each surface of the source layers via an insulating film; a first
main electrode formed so as to cover the control electrode and to contact
the source layers and the base layers in the same manner; and a second
main electrode formed on a second main surface opposite to the first main
surface of the semiconductor substrate.
Ein Halbleiterelement schließt ein: ein Halbleitersubstrat einer ersten Leitfähigkeitart; eine Halbleiterschicht einer ersten Leitfähigkeitart bildete sich auf einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates, die Halbleiterschicht einschließlich eine erste Region für einen Zelle Teil und eine zweite Region für einen beendenden Teil, die zweite Region, die in eine äußere Peripherie der ersten Region, die beendende beibehaltene Durchbruchsspannung des Teils in Position gebracht wird, indem sie eine Sperrschicht verlängert, um ein elektrisches zu entlasten, fangen auf; Verzweigung Paare des Halbleiters überlagert regelmäßig geordnet, um eine Linie von der ersten Region zur zweiten Region in einer ersten Richtung zu bilden, die zur ersten Hauptoberfläche in der Halbleiterschicht und gegenseitig zu haben gegenüber von Leitfähigkeitarten der Verunreinigungen, jede des Verzweigung Paares parallel ist, das aus einer ersten Verunreinigung Diffusion (Zerstäubung) Schicht einer zweiten Leitfähigkeitart besteht, die von einer Oberfläche der Halbleiterschicht in Richtung zum Halbleitersubstrat und der zweiten Verunreinigung Diffusion (Zerstäubung) Schicht einer ersten Leitfähigkeitart gebildet wird, die von der Oberfläche der Halbleiterschicht in Richtung zum Halbleitersubstrat gebildet wird und angrenzend zur ersten Verunreinigung Diffusion (Zerstäubung) Schicht; eine Basisschicht einer zweiten Leitfähigkeitart bildete selektiv sich auf jeder Deckschicht der Verzweigung Paare, die in der ersten Region gebildet werden, um an die erste Verunreinigung Diffusion (Zerstäubung) Schicht und an die zweite Verunreinigung Diffusion (Zerstäubung) Schicht auf die gleiche Weise anzuschließen; eine Quellschicht einer ersten Leitfähigkeitart bildete selektiv sich auf jeder Deckschicht der Basisschichten der zweiten leitenden Art; eine Steuerelektrode bildete sich über jeder Oberfläche der Basisschichten und über jeder Oberfläche der Quellschichten über einen isolierenden Film; eine erste Hauptelektrode bildete, sich um die Steuerelektrode zu bedecken und den Quellschichten und mit den Basisschichten auf die gleiche Weise in Verbindung zu treten; und eine zweite Hauptelektrode bildete sich auf einer zweiten Hauptoberfläche gegenüber der ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates.
