A method and apparatus for providing a weak inversion mode
metal-oxide-semiconductor (MOS) decoupling capacitor is described. In one
embodiment, an enhancement-mode p-channel MOS (PMOS) transistor is
constructed with a gate material whose work function differs from that
commonly used. In one exemplary embodiment, platinum silicate (PtSi) is
used. In alternate embodiments, the threshold voltage of the PMOS
transistor may be changed by modifying the dopant levels of the substrate.
In either embodiment the flat band magnitude of the transistor is shifted
by the change in materials used to construct the transistor. When such a
transistor is connected with the gate lead connected to the positive
supply voltage and the other leads connected to the negative (ground)
supply voltage, an improved decoupling capacitor results.
Een methode en een apparaat om een zwakke metaal-oxyde-halfgeleider die van de inversiewijze te verstrekken (MOS) condensator worden loskoppelt beschreven. In één belichaming, wordt een verhoging-wijze p-channel MOS (PMOS) transistor geconstrueerd met een poortmateriaal de waarvan het werkfunctie van algemeen gebruikt dat verschilt. In één voorbeeldige belichaming, wordt het platinasilicaat (PtSi) gebruikt. In afwisselende belichamingen, kan het drempelvoltage van de PMOS transistor worden veranderd door de additiefniveaus van het substraat te wijzigen. In één van beide belichaming wordt de vlakke bandomvang van de transistor door de verandering in materialen verplaatst die worden gebruikt om de transistor te construeren. Wanneer een dergelijke transistor wordt verbonden aan het poortlood die met het positieve leveringsvoltage en de andere lood wordt verbonden die met het negatieve voltage (van de grond) wordt verbonden levering, vloeit een betere het loskoppelen condensator voort.
