A method for fabricating a radiation-emitting semiconductor chip having a
thin-film element based on III-V nitride semiconductor material includes
the steps of depositing a layer sequence of a thin-film element on an
epitaxy substrate. The thin-film element is joined to a carrier, and the
epitaxy substrate is removed from the thin-film element. The epitaxy
substrate has a substrate body made from PolySiC or PolyGaN or from SiC,
GaN or sapphire, which is joined to a grown-on layer by a bonding layer,
and on which the layer sequence of the thin-film element is deposited by
epitaxy.
Een methode om een straling-uitzendende halfgeleiderspaander te vervaardigen die een thin-film element heeft dat op IIIV materiaal van de nitridehalfgeleider wordt gebaseerd omvat de stappen van het deponeren van een laagopeenvolging van een thin-film element op een epitaxy substraat. Het thin-film element wordt aangesloten bij aan een drager, en het epitaxy substraat wordt verwijderd uit het thin-film element. Het epitaxy substraat heeft een substraatlichaam dat van PolySiC of PolyGaN of van SiC, GaN of saffier wordt gemaakt, die bij aan een kweken- laag door een laag plakkend wordt aangesloten, en waarop de laagopeenvolging van het thin-film element door epitaxy wordt gedeponeerd.
