A RRAM memory cell is formed on a silicon substrate having a operative
junction therein and a metal plug formed thereon, includes a first
oxidation resistive layer; a first refractory metal layer; a CMR layer; a
second refractory metal layer; and a second oxidation resistive layer. A
method of fabricating a multi-layer electrode RRAM memory cell includes
preparing a silicon substrate; forming a junction in the substrate taken
from the group of junctions consisting of N+ junctions and P+ junctions;
depositing a metal plug on the junction; depositing a first oxidation
resistant layer on the metal plug; depositing a first refractory metal
layer on the first oxidation resistant layer; depositing a CMR layer on
the first refractory metal layer; depositing a second refractory metal
layer on the CMR layer; depositing a second oxidation resistant layer on
the second refractory metal layer; and completing the RRAM memory cell.
Una célula de memoria de RRAM se forma en un substrato del silicio que tiene una ensambladura operativa en esto y un enchufe del metal formado sobre eso, incluye una capa resistente de la primera oxidación; una primera capa refractaria del metal; una capa de CMR; una segunda capa refractaria del metal; y una capa resistente de la segunda oxidación. Un método de fabricar una célula de memoria de múltiples capas del electrodo RRAM incluye la preparación de un substrato del silicio; formando una ensambladura en el substrato tomado del grupo de ensambladuras que consisten en ensambladuras de N+ y ensambladuras de P+; depositar un enchufe del metal en la ensambladura; depositar una capa resistente de la primera oxidación en el enchufe del metal; depositando un primer metal refractario acode en la capa resistente de la primera oxidación; depositando un CMR acode en la primera capa refractaria del metal; depositando un segundo metal refractario acode en la capa de CMR; depositar una capa resistente de la segunda oxidación en la segunda capa refractaria del metal; y terminando la célula de memoria de RRAM.
