A method and apparatus of reducing variations in nanoscale circuit
connections. One exemplary embodiment includes: placing a first connector
between a first addressing wire and a first nanowire in a partial circuit;
and applying bias to the partial circuit so that a second connector is
placed between a second addressing wire and a second nanowire. This method
of bias connections is repeated for each wire in the full circuit. Thus,
bias is used to influence the positioning of connectors on additional
wires (if any) in the full circuit.
Eine Methode und ein Apparat des Verringerns von von Schwankungen des nanoscale umkreisen Anschlüsse. Eine mustergültige Verkörperung schließt ein: Legen eines ersten Steckers zwischen eine erste wendende Leitung und ein erstes nanowire in einen teilweisen Stromkreis; und schräg zutreffend auf den teilweisen Stromkreis, damit ein zweiter Stecker zwischen eine zweite wendende Leitung und ein zweites nanowire gesetzt wird. Diese Methode der schrägen Anschlüsse wird für jede Leitung im vollen Stromkreis wiederholt. So schräg wird verwendet, die Positionierung der Stecker auf zusätzliche Leitungen (falls vorhanden) im vollen Stromkreis zu beeinflussen.
