The present invention generally relates to an apparatus and method of
carbon nanotube (CNT) gate field effect transistor (FET), which is used to
replace the current metal gate of transistor for decreasing the gate width
greatly. The carbon nanotube has its own intrinsic characters of metal and
semiconductor, so it can be the channel, connector or next-level gate of
transistor. Furthermore, the transistor has the structure of exchangeable
source and drain, and can be defined the specificity by outside wiring.
La presente invenzione si riferisce generalmente ad un materiale e ad un metodo del transistore di effetto del giacimento del cancello del nanotube del carbonio (CNT) (FET), che è utilizzato per sostituire il cancello corrente del metallo del transistore per fare diminuire la larghezza del cancello notevolmente. Il nanotube del carbonio ha relativi propri caratteri intrinsechi di metallo e del semiconduttore, in modo da può essere il cancello della scanalatura, del connettore o del seguente-livello del transistore. Ancora, il transistore ha la struttura della fonte cambiabile e dello scolo e può essere definito la specificità da collegamenti esterni.
