A method for fabricating a Schottky diode using a shallow trench contact to
reduce leakage current in the fabrication of an integrated circuit device
is described. An insulating layer is deposited over a thermal oxide layer
provided overlying a silicon semiconductor substrate. A contact opening is
etched through the insulating layer and the thermal oxide layer to the
silicon substrate. The contact opening is overetched whereby a shallow
trench is formed within the silicon substrate underlying the contact
opening wherein the shallow trench has a bottom and sidewalls comprising
the silicon substrate. A first metal layer is deposited over the
insulating layer and within the contact opening and within the shallow
trench. The first metal layer is sintered whereby the first metal layer is
transformed to a silicide layer where the silicide layer contacts the
silicon substrate at the bottom and sidewalls of the shallow trench and
wherein the first metal layer contacting the insulating layer and thermal
oxide layer is not transformed. The untransformed first metal layer is
removed. A barrier metal layer is deposited overlying the insulating layer
and the silicide layer within the shallow trench. A second metal layer is
deposited overlying the barrier metal layer to complete fabrication of a
Schottky diode in an integrated circuit device.
Eine Methode für das Fabrizieren einer Schottky Diode mit einem flachen Grabenkontakt, Durchsickernstrom in der Herstellung einer Schaltungvorrichtung zu verringern wird beschrieben. Eine Isolierschicht wird über einer thermischen Oxidschicht niedergelegt, die ein Silikonhalbleitersubstrat überlagernd bereitgestellt wird. Eine Kontaktöffnung wird durch die Isolierschicht und die thermische Oxidschicht zum Silikonsubstrat geätzt. Die Kontaktöffnung ist overetched, hingegen ein flacher Graben innerhalb des zugrundeliegenden Silikonsubstrates die Kontaktöffnung gebildet wird, worin der flache Graben eine Unterseite und Seitenwände hat, die das Silikonsubstrat enthalten. Eine erste Metallschicht ist- niedergelegter Überschuß die Isolierschicht und innerhalb der Kontaktöffnung und innerhalb des flachen Grabens. Die erste Metallschicht wird gesintert, hingegen die erste Metallschicht zu einer Silicideschicht umgewandelt wird, in der die Silicideschicht mit dem Silikonsubstrat an der Unterseite und an den Seitenwänden des flachen Grabens in Verbindung tritt und worin die erste Metallschicht, die der Isolierschicht und mit thermischer Oxidschicht in Verbindung tritt, nicht umgewandelt wird. Untransformed erste Metallschicht wird entfernt. Eine Sperre Metallschicht wird die Isolierschicht und die Silicideschicht innerhalb des flachen Grabens überlagernd niedergelegt. Eine zweite Metallschicht wird die Sperre Metallschicht überlagernd, um Herstellung einer Schottky Diode in einer Schaltungvorrichtung durchzuführen niedergelegt.
