A switching device for integrated circuit applications is disclosed. A
first switching device includes a first device between a first voltage
supply and a common output, a second device between a second voltage
supply and common output, and a common input to control said first and
second devices. Said first and second devices are constructed as
complementary Gated-FET devices, wherein the conductive path of a
Gated-FET comprises a resistive channel of the same dopant type as source
and drain regions. A second switching device includes a first device
between a first voltage supply and a common output, a second device
between a second voltage supply and common output, and a common input to
control said first and second devices. The conductive paths of said first
and second devices are comprised of a single geometry of a semiconductor
material.
Un dispositivo de la conmutación para los usos de circuito integrado se divulga. Un primer dispositivo de la conmutación incluye un primer dispositivo entre una primera fuente y una salida común, un segundo dispositivo del voltaje entre una segunda fuente del voltaje y una salida común, y una entrada común al control dicho primero y a los segundos dispositivos. Los primeros y segundos dispositivos dichos se construyen como dispositivos complementarios Bloquear-Gated-FET, en donde la trayectoria conductora de un Bloquear-Gated-FET abarca un canal resistente del mismo tipo del dopant que regiones de la fuente y del dren. Un segundo dispositivo de la conmutación incluye un primer dispositivo entre una primera fuente y una salida común, un segundo dispositivo del voltaje entre una segunda fuente del voltaje y una salida común, y una entrada común al control dicho primero y a los segundos dispositivos. Las trayectorias conductoras de los primeros y segundos dispositivos dichos se abarcan de una sola geometría de un material del semiconductor.
