The semiconductor device comprises a semiconductor layer 18 formed on an
insulation layer 16, a gate electrode 22 formed on the semiconductor layer
with a gate insulation film 20 formed therebetween, a source/drain region
24 formed on the semiconductor layer on both sides of the gate electrode,
and a semiconductor region 14 buried in the insulation layer 16 in a
region below the gate electrode.
Het halfgeleiderapparaat bestaat uit een halfgeleiderlaag 18 die op een isolatielaag 16 wordt gevormd, therebetween een poortelektrode 22 die op de halfgeleiderlaag wordt gevormd met een gevormde film 20 van de poortisolatie, een bron/een afvoerkanaalgebied 24 dat op de halfgeleiderlaag wordt gevormd aan beide kanten van de poortelektrode, en een halfgeleidergebied 14 dat in isolatielaag 16 in een gebied onder de poortelektrode wordt begraven.
