A semiconductor device includes a first semiconductor layer formed above a
first region of a supporting substrate with a buried oxide layer disposed
therebetween and a second semiconductor layer formed on a second region of
the supporting substrate. An interface between the supporting substrate
and the second semiconductor layer is placed in a position deeper than the
buried oxide layer.
Ein Halbleiterelement schließt eine erste Halbleiterschicht ein, die über einer ersten Region eines stützenden Substrates mit einer begrabenen Oxidschicht gebildet wird, die abgeschaffen wird, therebetween und eine zweite Halbleiterschicht, die auf einer zweiten Region des stützenden Substrates gebildet wird. Eine Schnittstelle zwischen dem stützenden Substrat und der zweiten Halbleiterschicht wird in eine Position gelegt, die als die begrabene Oxidschicht tiefer ist.
